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Advance Technical Information
HiperFET TM
Power MOSFET
Q3-Class
IXFN82N60Q3
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
600V
66A
75m Ω
300ns
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
miniBLOC
E153432
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
600
600
± 30
± 40
V
V
V
V
G
S
D
S
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
66
240
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
I A
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS, t = 1minute
I ISOL ≤ 1mA, t = 1s
Mounting Torque for Base Plate
Terminal Connection Torque
82
4
50
960
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Either Source Terminal S can be used as
the Source Terminal or the Kelvin Source
(Gate Return) Terminal.
Features
International Standard Package
Low Intrinsic Gate Resistance
miniBLOC with Aluminum Nitride
Isolation
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on) and Q G
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 41A, Note 1
T J = 125 ° C
600
3.5
V
6.5 V
± 200 nA
50 μ A
3 mA
75 m Ω
DC-DC Converters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100340(05/11)
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